Возможности применения Оже-спектроскопии (AES1) в процессах химического анализа значительно расширяются при дополнении методами растровой электронной микроскопии на основе того же эффекта (SAM2), возникающего при сканировании образца точечным источником возбуждения атомов поверхностного слоя, и контроля изображения во вторичных электронах (SEM3).
 |
На поверхность образца воздействуют генерируемые точечным источником первичные электроны с энергией в несколько кэВ, формирующие вакансии во внутренних оболочках атомов. Электрон с верхних энергетических уровней под влиянием кулоновских сил переходит в образовавшуюся вакансию на внутренней орбитали, а избыток энергии передается при этом другому (излучаемому как Оже-электрон), названному в честь Пьера Оже, первооткрывателя эффекта. Регистрация характерного для каждого элемента излучения Оже-электронов может применяться при анализе химического состава поверхности. В процессе сканирования образца формируется карта распределения элементов с поперечным разрешением, соответствующим диаметру исходного электронного луча. Поскольку эффект Оже сопровождаются эмиссией вторичных электронов, то на формируемом ими изображении достигается аналогичное разрешение.
На нашем сайте вы можете ознакомиться с доступными к заказу РФЭС решениями (XPS, NAP XPS и другое): оборудование рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии.
1«AES» (Auger Electron Spectroscopy) – электронная Оже-спектроскопия (ОЭС).
2«SAM» (Scanning Auger Electron Micropscopy) – сканирующая электронная Оже-микроскопия (СОЭМ).
3«SEM» (Scanning Electron Micropscopy) – растровая электронная микроскопия (РЭМ).
.png)