Наибольшая чувствительность в процессах элементного и количественного анализа состава поверхности обеспечивается посредством регистрации спектров неупругого рассеяния ионов в верхнем атомном слое (LEISS*). Простота интеграции и внедрения позволяет отнести методику к разряду одной из приоритетных операций анализа и метрологии.
 |
Особая чувствительность выделяет методику спектроскопии LEISS в числе иных технологий исследования поверхности и обусловлена ограничением области, в которой осуществляется зондирование заряженными ионами инертного газа, исключительно верхним атомным слоем. Операции проводятся с применением полусферического электронного анализатора и источника низкоэнергетичных ионов. С учетом того, что большинство современных экспериментальных установок уже оснащены подобным анализатором и моноатомным источником ионов низкой энергии для компенсации заряда, реализация технологии LEISS становится возможной непосредственно на существующем оборудовании или после незначительной модернизации.
 |
Потери энергии в результате неупругого рассеяния, возникающие в процессе облучения поверхности образца ионами He или иного элемента с низкой энергией, регистрируются полусферическим анализатором. Значительная величина поперечного сечения рассеяния не позволяет проникать ионам глубже первого слоя атомов, возбуждение которых производится с характеристическим значением энергии, теряемой в свою очередь падающими частицами. Фиксация потерь энергии ионов позволяет обеспечить проведение точного химического анализа поверхности с высокой чувствительностью. Минимизация эффектов распыления материала достигается особыми мерами контроля и стабилизации исходной энергии ионов на достаточно низком уровне.
На нашем сайте вы можете ознакомиться с доступными к заказу РФЭС решениями (XPS, NAP XPS и другое): оборудование рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии.
*«(LE)ISS» (Low Energy Ion Scattering Spectroscopy) – спектроскопия обратного рассеяния медленных ионов (СОРМИ).
.png)