Выполнение операций электронной спектроскопии на непроводящем образце или в отсутствии заземления служит причиной формирования положительного заряда на поверхности материала, последующего увеличения энергии связи остаточных электронов и перехода на более высокие уровни. Стабильная регистрация спектра в подобных условиях невозможна.
 |
Компенсация заряда образца достигается несколькими способами, простейший из которых состоит в дополнительном облучении низкоэнергетичными электронами. Полная нейтрализация положительного заряда производится при соответствующей величине энергии и тока (количества) взаимодействующих электронов. Высокие значения могут приводить к влиянию избыточного отрицательного заряда на показания регистратора. Предотвращение подобного эффекта возможно путем дополнительного внедрения в рабочую зону положительных ионов с низкой кинетической энергией. Альтернативными методами нейтрализации заряда поверхности является повышение температуры образца или генерация электронно-дырочных пар под воздействием УФ-облучения.
Заслуживает внимания высокая эффективность технологии применения остаточного газа при давлении от 1 мбар, который ионизируется в системах NAP-XPS* под воздействием рентгеновского излучения. В результате над поверхностью образца создается облако из положительных ионов и электронов. В случае не слишком высокой плотности фотонов происходит самопроизвольная компенсация зарядов, что справедливо для всех лабораторных рентгеновских источников. Процедура носит название компенсации заряда из газовой среды.
На нашем сайте вы можете ознакомиться с доступными к заказу РФЭС решениями (XPS, NAP XPS и другое): оборудование рентгеновской фотоэлектронной спектрометрии.
*«NAP-XPS» (Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy) – рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) при давлении, близком к атмосферному.
.png)